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71V416S10PHGI图片

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

71V416S10PHGI 

产品描述

SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tube/Tray

内部编号

164-71V416S10PHGI

生产厂商

integrated device technology (idt)

idt

#1

 数量:197
1+¥46.5899
最小起订量:1
美国费城
当天发货，5-8个工作日送达.
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#2

 数量:260
1+¥55.5221
10+¥49.9836
25+¥45.5391
100+¥41.0946
250+¥37.4706
500+¥34.2569
1000+¥29.8807
2500+¥27.4192
最小起订量:1
美国加州
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#3

 数量:17
最小起订金额:￥￦600
新加坡
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

71V416S10PHGI产品详细规格

规格书 71V416S10PHGI datasheet 规格书
71V416S10PHGI datasheet 规格书
XPackage 44TSOP-II
包装 44TSOP-II
定时类型 Asynchronous
密度 4 Mb
典型工作电源电压 3.3 V
地址总线宽度 18 Bit
I / O线数 16 Bit
端口数 1
字数 256 K
工作温度 -40 to 85 °C
标准包装 Rail / Tube
最大工作电流 200 mA
安装风格 SMD/SMT
存储容量 4 Mbit
电源电压 - 最大 3.6 V
访问时间 10 ns
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 TSOP-44
组织 256 k x 16
电源电压 - 最小 3 V
最高工作温度 + 85 C
零件号别名 IDT71V416S10PHGI
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 26
宽度 10.16 mm
类型 Asynchronous
封装 Tube
品牌 IDT
内存类型 SDR
工作温度范围 - 40 C to + 85 C
长度 18.41 mm
接口类型 Parallel
系列 71V416
身高 1 mm
电源电流 - 最大 200 mA

71V416S10PHGI系列产品

型号厂家产品描述
71V416S10PHGI8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
71V416S10BE integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
71V416S10BE8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA T/R
71V416S10BEG Integrated Device Technology SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA Tray
71V416S10BEG integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
71V416S10BEG8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA T/R
71V416S10BEGI integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
71V416S10BEGI8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48-Pin CABGA T/R
71V416S10PH rochester electronics
71V416S10PHG integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tube/Tray
71V416S10PHG8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
71V416S10YG integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube/Tray
71V416S10YG8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R
71V416S10YGI integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ Tube/Tray
71V416S10YGI8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ T/R
71V416S12BE integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tube/Tray
71V416S12BE1 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tray
71V416S12BE18 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA T/R
71V416S12BE2 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA Tray
71V416S12BE28 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA T/R
71V416S12BE8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 48-Pin CABGA T/R

71V416S10PHGI也可以通过以下分类找到

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