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70T651S10BFGI8图片

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

70T651S10BFGI8 

产品描述

SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin CABGA T/R

内部编号

164-70T651S10BFGI8

生产厂商

integrated device technology (idt)

idt

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70T651S10BFGI8产品详细规格

规格书 70T651S10BFGI8 datasheet 规格书
IDT70T651/9S
包装 208CABGA
定时类型 Asynchronous
密度 9 Mb
典型工作电源电压 2.5 V
地址总线宽度 18 Bit
I / O线数 36 Bit
端口数 2
字数 256 K
工作温度 -40 to 85 °C
标准包装 Tape & Reel
封装 Reel
零件号别名 IDT70T651S10BFGI8
RoHS RoHS Compliant
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 208-CABGA (15x15)
内存类型 SRAM - Dual Port, Asynchronous
存储容量 9M (256K x 36)
电压 - 电源 2.4 V ~ 2.6 V
封装/外壳 208-LFBGA
接口 Parallel
速度 10ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
宽度 15 mm
类型 Asynchronous
安装风格 SMD/SMT
品牌 IDT
最高工作温度 + 85 C
工作温度范围 - 40 C to + 85 C
长度 15 mm
电源电压 - 最大 2.6 V
接口类型 Parallel
组织 256 k x 36
电源电压 - 最小 2.4 V
访问时间 10 ns
系列 70T651
身高 1.4 mm
电源电流 - 最大 445 mA
最低工作温度 - 40 C

70T651S10BFGI8系列产品

型号厂家产品描述
70T651S10BFGI integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin CABGA Tube
70T651S10BC integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 256-Pin CABGA
70T651S10BC8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 256-Pin CABGA T/R
70T651S10BCI integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 256-Pin CABGA
70T651S10BCI8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 256-Pin CABGA T/R
70T651S10BF integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin CABGA
70T651S10BF8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin CABGA T/R
70T651S10BFI integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin CABGA
70T651S10BFI8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin CABGA T/R
70T651S10DR integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 10ns 208-Pin PQFP
70T651S12BC integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 256-Pin CABGA
70T651S12BC8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 256-Pin CABGA T/R
70T651S12BCI integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 256-Pin CABGA
70T651S12BCI8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 256-Pin CABGA T/R
70T651S12BF integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 208-Pin CABGA
70T651S12BF8 integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 208-Pin CABGA T/R
70T651S12BFGI integrated device technology (idt) SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 256K x 36 12ns 208-Pin CABGA Tube
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