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厂商型号

BQ4010MA-70 

产品描述

NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin DIP Module

内部编号

136-BQ4010MA-70

生产厂商

texas instruments

ti

#1

数量:3117
1+¥169.5871
25+¥157.4902
100+¥151.018
500+¥145.0081
1000+¥137.7654
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

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BQ4010MA-70产品详细规格

规格书 BQ4010MA-70 datasheet 规格书
BQ4010MA-70 datasheet 规格书
BQ4010(Y,LY)
BQ4010MA-70 datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 04/Jun/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 14
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小 64K (8K x 8)
速度 70ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 4.75 V ~ 5.5 V
操作温度 0°C ~ 70°C
包/盒 28-DIP Module (0.61, 15.49mm)
供应商器件封装 28-DIP Module (18.42x37.72)
包装材料 Tray
包装 28DIP Module
类型 NVSRAM
总线类型 Parallel
密度 64 Kb
组织 8Kx8
数据总线宽度 8 Bit
工作电源电压 5 V
工作温度 0 to 70 °C
安装 Through Hole
包装宽度 18.42
PCB 28
筛选等级 Commercial
典型工作电源电压 5
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 64K
最低工作温度 0
供应商封装形式 DIP Module
标准包装名称 DIP Module
最高工作温度 70
数据总线宽度 8
接口类型 Parallel
包装长度 37.72
最低工作电源电压 4.75
引脚数 28
最大工作电流 50
包装高度 9.4
最大随机存取时间 70
最大工作电源电压 5.5
铅形状 Through Hole
封装 Tray
格式 - 存储器 RAM
标准包装 14
供应商设备封装 28-DIP Module (18.42x37.72)
内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
存储容量 64K (8K x 8)
电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V
封装/外壳 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
接口 Parallel
速度 70ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 37.72 x 18.42 x 9.4mm
身高 9.4mm
长度 37.72mm
最大工作电源电压 5.5 V
最高工作温度 +70 °C
最大随机存取时间 70ns
最低工作电源电压 4.75 V
最低工作温度 0 °C
安装类型 Through Hole
组织 8K x 8 bit
包装类型 DIP
宽度 18.42mm
工厂包装数量 14
产品种类 NVRAM
系列 BQ4010
RoHS RoHS Compliant
安装风格 Through Hole
电源电压 - 最大 5.5 V
电源电压 - 最小 4.75 V
访问时间 70 ns
工作电流 50 mA
访问时间(最大) 70 ns
工作温度范围 0C to 70C
字长 8 b
工作温度分类 Commercial
电源电流 50 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 5 V
工作电源电压(最小值) 4.75 V
工作电源电压(最大值) 5.5 V
删除 Compliant
存储容量 64K (8K x 8)
供应商器件封装 28-DIP Module (18.42x37.72)
存储器类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
操作温度 0°C ~ 70°C
电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V
接口 Parallel
封装/外壳 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
速度 70ns
格式 - 存储器 RAM

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