图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BQ4010(Y,LY) |
| 文档 |
Multiple Devices 04/Jun/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 14 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小 | 64K (8K x 8) |
| 速度 | 85ns |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 操作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 包/盒 | 28-DIP Module (0.61, 15.49mm) |
| 供应商器件封装 | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
| 包装材料 | Tray |
| 包装 | 28DIP Module |
| 类型 | NVSRAM |
| 总线类型 | Parallel |
| 密度 | 64 Kb |
| 组织 | 8Kx8 |
| 数据总线宽度 | 8 Bit |
| 工作电源电压 | 5 V |
| 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 标准包装 | Trays |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 18.42 |
| PCB | 28 |
| 筛选等级 | Commercial |
| 典型工作电源电压 | 5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 密度 | 64K |
| 最低工作温度 | 0 |
| 供应商封装形式 | DIP Module |
| 标准包装名称 | DIP Module |
| 最高工作温度 | 70 |
| 数据总线宽度 | 8 |
| 接口类型 | Parallel |
| 包装长度 | 37.72 |
| 最低工作电源电压 | 4.75 |
| 引脚数 | 28 |
| 最大工作电流 | 50 |
| 包装高度 | 9.4 |
| 最大随机存取时间 | 85 |
| 最大工作电源电压 | 5.5 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 封装 | Tray |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 供应商设备封装 | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
| 内存类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 存储容量 | 64K (8K x 8) |
| 电压 - 电源 | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 封装/外壳 | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 85ns |
| 其他名称 | 296-9389-5 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 访问时间（最大） | 85 ns |
| 工作温度范围 | 0C to 70C |
| 包装类型 | DIP MODULE |
| 字长 | 8 b |
| 工作温度分类 | Commercial |
| 电源电流 | 50 mA |
| 弧度硬化 | No |
| 工作电源电压（典型值） | 5 V |
| 工作电源电压（最小值） | 4.75 V |
| 工作电源电压（最大值） | 5.5 V |
| 删除 | Compliant |
| 存储容量 | 64K (8K x 8) |
| 供应商器件封装 | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
| 存储器类型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 操作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 电压 - 电源 | 4.75 V ~ 5.5 V |
| 接口 | Parallel |
| 封装/外壳 | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| 速度 | 85ns |
| 格式 - 存储器 | RAM |
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