图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:19 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:182 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:182 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 14 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小 | 64K (8K x 8) |
| 速度 | 70ns |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 3 V ~ 3.6 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 包/盒 | 28-DIP Module (0.61, 15.49mm) |
| 供应商器件封装 | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
| 包装材料 | Tray |
| 包装 | 28DIP Module |
| 类型 | NVSRAM |
| 总线类型 | Parallel |
| 密度 | 64 Kb |
| 组织 | 8Kx8 |
| 数据总线宽度 | 8 Bit |
| 工作电源电压 | 3.3 V |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 18.42 |
| PCB | 28 |
| 筛选等级 | Industrial |
| 典型工作电源电压 | 3.3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 密度 | 64K |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | DIP Module |
| 标准包装名称 | DIP Module |
| 最高工作温度 | 85 |
| 数据总线宽度 | 8 |
| 接口类型 | Parallel |
| 包装长度 | 37.72 |
| 最低工作电源电压 | 3 |
| 引脚数 | 28 |
| 最大工作电流 | 30 |
| 包装高度 | 9.4 |
| 最大随机存取时间 | 70 |
| 最大工作电源电压 | 3.6 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 工厂包装数量 | 14 |
| 产品种类 | NVRAM |
| 系列 | BQ4010LY |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 封装 | Tray |
| 安装风格 | Through Hole |
| 存储容量 | 64 Kbit |
| 电源电压 - 最大 | 3.6 V |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | DIP Module |
| 电源电压 - 最小 | 3 V |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 访问时间 | 70 ns |
| 工作电流 | 30 mA |
| 工作电源电流 | 30 mA |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 内存类型 | SRAM |
| 长度 | 37.72 mm |
| 身高 | 9.4 mm |
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