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| 规格书 |
 BZX84C2V4S - BZX84C39S |
| 文档 |
Bond Wire 11/Nov/2011 Green Encapsulate Change 09/July/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 齐纳（NOM）（VZ） | 10V |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 900mV @ 10mA |
| 电流 - 反向漏VR | 200nA @ 7V |
| 配置 | 2 Independent |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 阻抗（最大）（ZZT） | 20 Ohm |
| 公差 | ±6% |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 操作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 包装 | 6SOT-363 |
| 配置 | Dual Anti Parallel |
| 标称齐纳电压 | 10 V |
| 齐纳电压容差 | 6 % |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 0.2 uA |
| 典型电压温度系数 | 6.25 mV/°C |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 200nA @ 7V |
| 电压 - 齐纳（额定值）（Vz ） | 10V |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 900mV @ 10mA |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 阻抗（最大值）（Zzt ） | 20 Ohm |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BZX84C10S-FDICT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Zener Diodes |
| 齐纳电压 | 10 V |
| 最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
| 电压温度系数 | 6.25 mV/C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 电压容差 | 6 % |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | SOT-363 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | SOT-363 |
| 引脚数 | 6 |
| 冯页次 | 0.0002 mA |
| 元件数 | Dual Anti Parallel |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 拐点阻抗 | 20Ohm |
| 齐纳电压（典型值） | 10V |
| 齐纳测试电流 | 5mA |
| 删除 | Compliant |
| 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
| 容差 | ±6% |
| 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 200nA @ 7V |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 Ohm |
| Vf - Forward Voltage | 0.9 V at 10 mA |
| Ir - Reverse Current | 0.2 uA |
| 宽度 | 2.2 mm |
| 测试电流 | 5 mA |
| 产品 | Zener Diode |
| 齐纳电流 | 0.2 uA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Zz - Zener Impedance | 20 Ohms |
| 长度 | 2.2 mm |
| 系列 | BZX84C10 |
| 身高 | 1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Vz - Zener Voltage | 10 V |
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