图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 文档 |
DFN1006-2 250mW Side DFN1006-2 250mW Bottom Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3µA @ 1V |
| Impedance (Max) (Zzt) | 90 Ohm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C |
| Package / Case | 2-XFDFN |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | 2-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Tolerance | ±6.98% |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
| 包装 | 2DFN |
| 配置 | Single |
| 标称齐纳电压 | 4.3 V |
| 齐纳电压容差 | 7 % |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 典型电压温度系数 | -1.75 mV/°C |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | DFN |
| 标准包装名称 | DFN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大齐纳阻抗 | 90 |
| 包装高度 | 0.47 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 |
| 最大功率耗散 | 250 |
| ESD保护 | No |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标称齐纳电压 | 4.3 |
| 包装宽度 | 0.6 |
| PCB | 2 |
| 包装长度 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 测试电流 | 5 |
| 引脚数 | 2 |
| 铅形状 | No Lead |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 3µA @ 1V |
| 电压 - 齐纳（额定值）（Vz ） | 4.3V |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 900mV @ 10mA |
| 供应商设备封装 | 2-DFN1006 (1.0x0.6) |
| 功率 - 最大 | 250mW |
| 阻抗（最大值）（Zzt ） | 90 Ohm |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 容差 | ±7% |
| 封装/外壳 | 2-XFDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BZT52C4V3LPDICT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Zener Diodes |
| 齐纳电压 | 4.3 V |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 电压温度系数 | - 1.75 mV / C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 电压容差 | 5 % |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | DFN1006-2 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | DFN |
| 冯页次 | 0.003 mA |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 拐点阻抗 | 90Ohm |
| 齐纳测试电流 | 5mA |
| Ir - Reverse Current | 3 uA |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 宽度 | 0.6 mm |
| 测试电流 | 5 mA |
| 产品 | Zener Diode |
| 齐纳电流 | 3 uA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Vf - Forward Voltage | 0.9 V at 10 mA |
| Zz - Zener Impedance | 90 Ohms |
| 长度 | 1 mm |
| 系列 | BZT52C4V3 |
| 身高 | 0.5 mm |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Vz - Zener Voltage | 4.3 V |
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