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| 规格书 |
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| 标准包装 | 98 |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 20mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 36V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 100mV @ 100µA, 1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | - |
| 功率 - 最大 | - |
| 频率转换 | 190MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 8SOIC N |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 8 |
| 最大集电极发射极电压 | 36 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.02 A |
| 最小直流电流增益 | 80@1mA@36V|70@100uA@36V|60@10uA@36V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.1@100uA@1mA V |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 0.02 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最大集电极发射极电压 | 36 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 36 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最低工作温度 | -40 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 190MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 100mV @ 100µA, 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 36V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 98 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 系列 | SSM2220 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 80 at 1 mA at 36 V, 70 at 100 uA at 36 V, 60 at 10 uA at 36 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 36 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 36 V |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| RoHS | No |
| 频率 - 跃迁 | 190MHz |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 100mV @ 100µA, 1mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 20mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 36V |
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