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#1 |
数量:948 |
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#2 |
数量:948 |
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#3 |
数量:948 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 MAT03 |
| 标准包装 | 1 |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 20mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 36V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 100mV @ 100µA, 1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 频率转换 | 190MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-78-6 Metal Can |
| 供应商器件封装 | TO-78-6 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 6TO-78 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 36 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.02 A |
| 最小直流电流增益 | 100@1mA@36V|90@100uA@36V|80@10uA@36V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.1@100uA@1mA V |
| 工作温度 | -55 to 125 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 190MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 100mV @ 100µA, 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 36V |
| 供应商设备封装 | TO-78-6 |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | TO-78-6 Metal Can |
| RoHS指令 | RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 系列 | MAT03 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 at 1 mA at 36 V, 90 at 100 uA at 36 V, 80 at 10 uA at 36 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 36 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 36 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| RoHS | No |
| 频率 - 跃迁 | 190MHz |
| 供应商器件封装 | TO-78-6 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 100mV @ 100µA, 1mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| 封装/外壳 | TO-78-6 Metal Can |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 20mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 36V |
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