图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 20mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 36V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 100mV @ 100µA, 1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | - |
| 功率 - 最大 | - |
| 频率转换 | 190MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 8PDIP |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 8 |
| 最大集电极发射极电压 | 36 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.02 A |
| 最小直流电流增益 | 80@1mA@36V|70@100uA@36V|60@10uA@36V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.1@100uA@1mA V |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20mA |
| 晶体管类型 | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 190MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 100mV @ 100µA, 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 36V |
| 供应商设备封装 | 8-PDIP |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 配置 | Dual |
| 外形尺寸 | 3.43 x 9.27 x 7.24mm |
| 身高 | 3.43mm |
| 长度 | 9.27mm |
| 最大集电极基极电压 | 36 V |
| 最高工作温度 | +85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装类型 | PDIP |
| 宽度 | 7.24mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 系列 | SSM2220 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 36 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 36 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :36V |
| Transition Frequency ft | :190MHz |
| DC Collector Current | :20mA |
| DC Current Gain hFE | :165 |
| Operating Temperature Min | :-40°C |
| Operating Temperature Max | :85°C |
| Transistor Case Style | :DIP |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Base Number | :2220 |
| Current Ic Continuous a Max | :20mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :190MHz |
| IC Generic Number | :2220 |
| 输入类型 | :Transistor Base |
| Module Configuration | :Dual |
| No. of Transistors | :2 |
| 工作温度范围 | :-40°C to +85°C |
| Weight (kg) | 0.000001 |
| Tariff No. | 85423190 |
| associated | 2227MC-08-03-18-F1 ICK SMD A 8 SA |
SSM2220PZ也可以通过以下分类找到
SSM2220PZ相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
