芯天下
  1. 首页
  2. 产品分类
  3. SSM6N15 transistor

SSM6N15 transistor 系列

低功率电子电路用小信号N沟道MOSFET

东芝生产的SSM6N15是一款小信号N沟道MOSFET,专为低功耗应用设计。这些晶体管常用于需要精确控制和高效切换的电路中,例如音频放大器、射频开关以及低功耗逻辑电路。如果您正在从事涉及高频信号或低压操作的任何项目,这些晶体管会非常实用。

值得注意的一点是,它们具有出色的线性和低噪声特性,使其非常适合需要最小化失真的音频应用。当工程师需要一个对信号质量影响最小的可靠开关时,往往会选用这种晶体管。此外,它们紧凑的尺寸和低功耗意味着可以在空间受限的设计中轻松集成而不影响性能。

另一个实际优点是它们在各种工作条件下的鲁棒性。它们能够有效处理低频和高频信号,因此适用于广泛的应用领域。无论是处理敏感的模拟信号还是快速的数字脉冲,SSM6N15都能轻松应对。

系列图片(7 张)

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
加载中...
03

SSM6N15 transistor - 型号列表

8 个型号

封装形式

其他名称

标准包装数量

额定功率

供应商器件封装

工厂包装数量

FET类型

最大栅源电压 Vgs

最大功率

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

平均正向功率

导通电阻(最大)

栅极触发电压 Vgt (最大)

漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)

输入电容(Ciss)(最大)@ Vds

连续漏极电流(Id)@ 25°C

高度

长度

包装方式

制造商零件编号库存价格产品类别标准包装数量导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic包装方式安装类型封装形式其他名称工厂包装数量RoHSFET类型最大栅源电压 VgsFET特性最大功率额定功率晶体管类型通道数量Vgs(th)(最大)@ Id平均正向功率导通电阻(最大)漏源电压(Vdss)漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)输入电容(Ciss)(最大)@ Vds连续漏极电流(Id)@ 25°C高度长度安装样式供应商器件封装系列技术制造商全称元件数量击穿电压峰值脉冲电流(10/1000µs)栅极触发电压 Vgt (最大)位数通道类型工作温度产品标准封装名称欧盟RoHS最大功耗引脚样式包装数量配置抗辐射加固冷却的封装类型极性
SSM6N15FET5LAPE

SMALL SIGNAL MOSFET

toshiba

0-------------------------------------------------
SSM6N15FE(TE85L,F)
4

Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin ES T/R MOSFET N-CH DUAL 30V 0.1A ES6 MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A

toshiba

38491: ¥3.196MOSFETTape & Reel4000@4V mOhm30 VTape and ReelSurface Mount6ESSSM6N15FE(TE85LF)CT4000Lead free / RoHS Compliant2 N-Channel (Dual)±20 VLogic Level Gate150mW150 mWN-Channel2 Channel1.5V @ 100µA150 mW4 Ohms30V0.1 A7.8pF @ 3V100mA0.55 mm1.6 mmSMD/SMTES6 (1.6x1.6)SSM6N15SiToshiba230 V0.1 A+/- 20 V6Enhancement-55 to 150 °CMOSFET Small SignalEMTCompliant150FlatESDual----
SSM6N15FU(TE85L,F)

Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 6-Pin US T/R

toshiba

0-Tape & Reel4000@4V mOhm30 VTape and ReelSurface Mount6US----±20 V--0.2 W------0.1 A---------230 V0.1 A-6Enhancement-55 to 150 °C-------NoUSSmall SignalN
SSM6N15AFU,LF
2

SIMILAR TO SSM6N15AFE,LM(A BUT MOSFET N CH 30V 100MA 2-2J1C MOSFET SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS

Toshiba

9685: ¥0.6293-3,0003.6 Ohm @ 10mA, 4V30 VTape & Reel (TR)Surface Mount6-TSSOP, SC-88, SOT-363SSM6N15AFULFCT3000Lead free / RoHS Compliant2 N-Channel (Dual)20 VLogic Level Gate300mW300 mWN-Channel2 Channel1.5V @ 100µA300 mW3.6 Ohms30V100 mA13.5pF @ 3V100mA0.9 mm2 mmSMD/SMTUS6SSM6N15SiToshiba---20 V--------------
SSM6N15AFE,LM
2

X34 PB-F ES6 NCHX2 (LF) S-MOS MOSF N CH 30V 100MA ES6 MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD

Toshiba

8205: ¥0.9847MOSFET4,0003.6 Ohm @ 10mA, 4V30 VTape & Reel (TR)Surface MountSOT-563, SOT-666SSM6N15AFELMCT4000Lead free / RoHS CompliantMOSFET N-Channel, Metal Oxide-Logic Level Gate150mW-N-Channel2 Channel1.5V @ 100µA150 mW3.6 Ohms30V-13.5pF @ 3V100mA (Ta)0.55 mm1.6 mmSMD/SMTES6SSM6N15SiToshiba------------------
SSM6N15FU

TOSHIBA

0-------------------------------------------------
0-------------------------------------------------
0-------------------------------------------------
1 / 1
1