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SSM6N15AFU,LF

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SSM6N15AFU,LF

制造商
描述
SIMILAR TO SSM6N15AFE,LM(A BUT MOSFET N CH 30V 100MA 2-2J1C MOSFET SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
分类
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商业参数

其他名称SSM6N15AFULFCT标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型2 N-Channel (Dual)最大栅源电压 Vgs20 V
FET特性Logic Level Gate最大功率300mW
额定功率300 mW晶体管类型N-Channel
通道数量2 ChannelVgs(th)(最大)@ Id1.5V @ 100µA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs3.6 Ohm @ 10mA, 4V平均正向功率300 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V导通电阻(最大)3.6 Ohms
漏源电压(Vdss)30V栅极触发电压 Vgt (最大)20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)100 mA输入电容(Ciss)(最大)@ Vds13.5pF @ 3V
连续漏极电流(Id)@ 25°C100mA

机械参数

高度0.9 mm长度2 mm
包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装US6

产品信息

系列SSM6N15技术Si
制造商全称Toshiba

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