GT30J igbt chip 系列型号列表/参数/数据手册

GT30J322(Q)

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS

toshiba

22

1: ¥38.30

-

30 A

Through Hole

Rail / Tube

±20 V

600 V

3TO-3P(N)IS

Single

-

GT30J311

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3P(SM)

toshiba

0

-

30 A

Surface Mount

Rail / Tube

±20 V

600 V

3TO-3P(SM)

Single

150

-

145000

13.5

TO-3P(SM)

N

-

Not Compliant

3

-

Tab

15.9(Max)

5(Max)

2

-

2

GT30J121(Q)

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN IGBT 600V 30A 170W TO3PN IGBT Transistors 600V/30A DIS

toshiba

10

1: ¥47.628

IGBT Transistors

30 A

Through Hole

Bulk

±20 V

600 V

3TO-3PN

Single

- 55 C

600V

-

4.8 mm

-

30A

60A

19 mm

15.9 mm

-

Lead free / RoHS Compliant

Standard

170W

1mJ (on), 800µJ (off)

90ns/300ns

2.45V @ 15V, 30A

Tube

TO-3P(N)

300V, 30A, 24 Ohm

-

50

30 A

Through Hole

1mJ (on), 800µJ (off)

GT30J121

Si

Toshiba

-

GT30J101

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

toshiba

0

-

30 A

Through Hole

Rail / Tube

±20 V

600 V

3TO-3PN

Single

-

2

GT30J324

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN IGBT, 600V, TO-3P(N)

toshiba

10

1: ¥58.14

-

30 A

Through Hole

Rail / Tube

±20 V

600 V

3TO-3PN

Single

:-55°C

:2.45V

:170W

-

TO-3PN

N

:30A

:60A

-

:IGBT

:3

Not Compliant

3

-

TO-3PN

:No SVHC (20-Jun-2013)

85412900

:70ns

:50ns

0.0046

:Through Hole

:-

:0.735°C/W

:150°C

-

GT30J324(Q)

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN IGBT 600V 30A 170W TO3PN

toshiba

58

50: ¥54.50

-

30 A

Through Hole

Bulk, Rail / Tube

±20 V

600 V

3TO-3PN

Single

-

600V

-

30A

60A

-

Lead free / RoHS Compliant

Standard

170W

1mJ (on), 800µJ (off)

90ns/300ns

2.45V @ 15V, 30A

Tube

TO-3P(N)

300V, 30A, 24 Ohm

-

60ns

-

GT30J322

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS

toshiba

0

-

30 A

Through Hole

Rail / Tube

±20 V

600 V

3TO-3P(N)IS

Single

-

GT30J301

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

toshiba

0

-

30 A

Through Hole

Rail / Tube

±20 V

600 V

3TO-3PN

Single

-

GT30J121

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Toshiba , N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装

toshiba

132

50: ¥32.421

-

30 A

Through Hole

Rail / Tube

±20 V

600 V

3TO-3PN

Single

+150 °C

600 V

170 W

4.8mm

TO-3P

N

-

20mm

15.9mm

单

3

-

1MHz

±20V

15.9 x 4.8 x 20mm

-

单

-

GT30J101(Q)

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin (3+Tab) TO-3P(N)

Toshiba

0

-

GT30J301(Q)

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin (3+Tab) TO-3P(N)

Toshiba

0

-

GT30J341,Q(O

Toshiba , N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3针 TO-3P封装

Toshiba

11

1: ¥26.46

-

59 A

通孔

-

+175 °C

600 V

230 W

4.5mm

TO-3PN

N

-

20mm

15.5mm

单

3

-

0.4µs

±25V

15.5 x 4.5 x 20mm

-

2900pF

Y

0.8mJ

GT30J igbt chip

GT30J igbt chip 系列

系列图片（7 张）

文档与媒体

常见问答

GT30J igbt chip - 型号列表

工作温度

最大功耗

宽度

标准包装数量

安装类型

封装形式

包装数量

供电电压

长度

集电极截止电流（最大）

集电极电流（Ic）（最大）

集电极脉冲电流 (Icm)

高度

晶体管类型

引脚数

频率

栅极触发电压 Vgt (最大)

尺寸/外形

制造商零件编号	库存	价格	产品类别	集电极截止电流（最大）	安装类型	标准包装数量	最大栅源电压 Vgs	最小输入电压	封装形式	配置	工作温度	供电电压	最大功耗	宽度	包装数量	通道类型	集电极电流（Ic）（最大）	集电极脉冲电流 (Icm)	高度	长度	晶体管类型	引脚数	欧盟RoHS	位数	RoHS	输入类型	最大功率	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	包装方式	供应商器件封装	测试条件	频率	栅极触发电压 Vgt (最大)	尺寸/外形	插片宽度	总长度	外壳尺寸-插件	印刷电路板数量	工厂包装数量	连续漏极电流（Id）@ 25°C	安装样式	能量	系列	技术	制造商全称	标准封装名称	SVHC	海关税号	上升时间（典型）	上升/下降时间（典型）	重量	端接方式	材料表面处理	热阻	结工作温度	反向恢复时间（trr）	每IC通道数	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	功能	其他规格
GT30J322(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS toshiba	22	1: ¥38.30	-	30 A	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	600 V	3TO-3P(N)IS	Single	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT30J311 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3P(SM) toshiba	0		-	30 A	Surface Mount	Rail / Tube	±20 V	600 V	3TO-3P(SM)	Single	150	-	145000	13.5	TO-3P(SM)	N	-	-	-	-	-	-	Not Compliant	3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Tab	15.9(Max)	5(Max)	2	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 GT30J121(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN IGBT 600V 30A 170W TO3PN IGBT Transistors 600V/30A DIS toshiba	10	1: ¥47.628	IGBT Transistors	30 A	Through Hole	Bulk	±20 V	600 V	3TO-3PN	Single	- 55 C	600V	-	4.8 mm	-	-	30A	60A	19 mm	15.9 mm	-	-	-	-	Lead free / RoHS Compliant	Standard	170W	1mJ (on), 800µJ (off)	90ns/300ns	2.45V @ 15V, 30A	Tube	TO-3P(N)	300V, 30A, 24 Ohm	-	-	-	-	-	-	-	50	30 A	Through Hole	1mJ (on), 800µJ (off)	GT30J121	Si	Toshiba	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT30J101 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN toshiba	0		-	30 A	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	600 V	3TO-3PN	Single	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 GT30J324 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN IGBT, 600V, TO-3P(N) toshiba	10	1: ¥58.14	-	30 A	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	600 V	3TO-3PN	Single	:-55°C	:2.45V	:170W	-	TO-3PN	N	:30A	:60A	-	-	:IGBT	:3	Not Compliant	3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	TO-3PN	:No SVHC (20-Jun-2013)	85412900	:70ns	:50ns	0.0046	:Through Hole	:-	:0.735°C/W	:150°C	-	-	-	-	-
GT30J324(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN IGBT 600V 30A 170W TO3PN toshiba	58	50: ¥54.50	-	30 A	Through Hole	Bulk, Rail / Tube	±20 V	600 V	3TO-3PN	Single	-	600V	-	-	-	-	30A	60A	-	-	-	-	-	-	Lead free / RoHS Compliant	Standard	170W	1mJ (on), 800µJ (off)	90ns/300ns	2.45V @ 15V, 30A	Tube	TO-3P(N)	300V, 30A, 24 Ohm	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	60ns	-	-	-	-
GT30J322 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS toshiba	0		-	30 A	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	600 V	3TO-3P(N)IS	Single	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT30J301 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN toshiba	0		-	30 A	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	600 V	3TO-3PN	Single	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT30J121 Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Toshiba , N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装 toshiba	132	50: ¥32.421	-	30 A	Through Hole	Rail / Tube	±20 V	600 V	3TO-3PN	Single	+150 °C	600 V	170 W	4.8mm	TO-3P	N	-	-	20mm	15.9mm	单	3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	1MHz	±20V	15.9 x 4.8 x 20mm	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	单	-	-	-
GT30J101(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin (3+Tab) TO-3P(N) Toshiba	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT30J301(Q) Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin (3+Tab) TO-3P(N) Toshiba	0		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
GT30J341,Q(O Toshiba , N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3针 TO-3P封装 Toshiba	11	1: ¥26.46	-	59 A	通孔	-	-	-	-	-	+175 °C	600 V	230 W	4.5mm	TO-3PN	N	-	-	20mm	15.5mm	单	3	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	0.4µs	±25V	15.5 x 4.5 x 20mm	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2900pF	Y	0.8mJ