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GT30J121
| 制造商 | |
| 描述 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Toshiba , N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3针 TO-3P封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | Rail / Tube | ||
电气参数
| 频率 | 1MHz | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 晶体管类型 | 单 | 供电电压 | 600 V |
| 最小输入电压 | 600 V | 最大功耗 | 170 W |
| 集电极截止电流（最大） | 30 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | ±20V |
机械参数
| 宽度 | 4.8mm | 高度 | 20mm |
| 长度 | 15.9mm | 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | 3TO-3PN |
| 包装数量 | TO-3P | 尺寸/外形 | 15.9 x 4.8 x 20mm |
产品信息
| 通道类型 | N | 配置 | Single |
| 每IC通道数 | 单 | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||