图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MBR40045CTS Twin Tower Pkg Drawing |
| 标准包装 | 25 |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 1.2V @ 200A |
| 电流 - 反向漏VR | 5µA @ 36V |
| 电流 - 平均整流（Io） (per Diode) | 400A (DC) |
| 电压 - 直流反向（VR）（最大值） | 45V |
| 反向恢复时间（trr） | - |
| 二极管型 | Schottky |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 二极管配置 | 2 Independent |
| 安装类型 | * |
| 包/盒 | SOT-227-4 |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
| 包装材料 | Bulk;;其他的名称； |
| 封装 | Bulk |
| 电流 - 平均整流（Io ） （每个二极管） | 400A (DC) |
| 安装类型 | * |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.2V @ 200A |
| 供应商设备封装 | SOT-227 |
| 二极管类型 | Schottky |
| 标准包装 | 25 |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 45V |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 5µA @ 36V |
| 二极管配置 | 2 Independent |
| 其他名称 | 1242-1132 |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 封装/外壳 | SOT-227-4 |
| 最大二极管电容 | 4910 pF |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 175 C |
| 正向连续电流 | 400 A |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 封装/外壳 | SOT-227 |
| 峰值反向电压 | 45 V |
| 系列 | MBR400 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10 |
| If - Forward Current | 400 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 45 V |
| Vr - Reverse Voltage | 45 V |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| Ir - Reverse Current | 5 uA |
| 技术 | Si |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 配置 | Dual Parallel |
| Vf - Forward Voltage | 1.1 V |
| 最高工作温度 | + 175 C |
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