图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 D61-3M (Mini MOD) Drawing FST8345M~83100M |
| 标准包装 | 30 |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 750mV @ 80A |
| 电流 - 反向漏VR | 1.5mA @ 20V |
| 电流 - 平均整流（Io） (per Diode) | 80A (DC) |
| 电压 - 直流反向（VR）（最大值） | 60V |
| 反向恢复时间（trr） | - |
| 二极管型 | Schottky |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 二极管配置 | - |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/盒 | D61-3M |
| 供应商器件封装 | D61-3M |
| 包装材料 | Bulk;;其他的名称； |
| 封装 | Bulk |
| 电流 - 平均整流（Io ） （每个二极管） | 80A (DC) |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 750mV @ 80A |
| 供应商设备封装 | D61-3M |
| 二极管类型 | Schottky |
| 标准包装 | 30 |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 60V |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 1.5mA @ 20V |
| 其他名称 | FST8360MGN |
| 速度 | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| 封装/外壳 | D61-3M |
| 正向电压下降 | 0.8 V |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 175 C |
| 系列 | FST836 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 封装/外壳 | D61-3M |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最大浪涌电流 | 800 A |
| 正向连续电流 | 80 A |
| RoHS | RoHS Compliant |
| If - Forward Current | 80 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 60 V |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| Ir - Reverse Current | 1 uA |
| Vf - Forward Voltage | 0.8 V |
| Ifsm - Forward Surge Current | 800 A |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 技术 | Si |
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