图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 EPC2014 |
| 文档 |
EPC20xx Material 10/Apr/2013 EPC2yyy Family Process Change 12/Dec/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 厂家的应用说明 | |
| 产品培训模块 | |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 16 mOhm @ 5A, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 2mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 2.48nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 300pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 5-LGA |
| 供应商器件封装 | 5-LGA (1.7x1.1) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 2mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | 5-LGA (1.7x1.1) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 16 mOhm @ 5A, 5V |
| FET型 | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| 标准包装 | 1,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 300pF @ 20V |
| 其他名称 | 917-1018-2 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2.48nC @ 5V |
| 封装/外壳 | 5-LGA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
