EPC2010

产品描述

TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

内部编号

生产厂商

数量:137

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美国费城
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规格书	EPC2010
文档	EPC20xx Material 10/Apr/2013 EPC2yyy Family Process Change 14/Dec/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
厂家的应用说明
产品培训模块
标准包装	500
FET 型	GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	12A
Rds（最大）@ ID，VGS	25 mOhm @ 6A, 5V
VGS（TH）（最大）@ Id	2.5V @ 3mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	5nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	480pF @ 100V
功率 - 最大	-
安装类型	Surface Mount
包/盒	7-SMD, Bump Lead
供应商器件封装	7-LGA (3.6x1.6)
包装材料	Tape & Reel (TR)
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	12A (Ta)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2.5V @ 3mA
漏极至源极电压（Vdss）	200V
供应商设备封装	Die
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	25 mOhm @ 6A, 5V
FET型	GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
标准包装	500
输入电容（Ciss ） @ VDS	480pF @ 100V
其他名称	917-1016-2
闸电荷（Qg ） @ VGS	5nC @ 5V
封装/外壳	Die
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
usewith	EPC9003

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