图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Status | Obsolete |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 85 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 7 mOhms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 8 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 3.75 W |
| 上升时间 | 9 ns |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 7@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 最大功率耗散 | 3750 |
| 最大连续漏极电流 | 85 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
SUM85N03-07P-E3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家