图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:2118 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||
#2 |
数量:2990 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||
#3 |
数量:120 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 SiZ902DT |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 16A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 12 mOhm @ 13.8A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 21nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 790pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 29W, 66W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair® |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 14.3A, 16A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-PowerPair® |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 12 mOhm @ 13.8A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 功率 - 最大 | 4.2W, 5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 790pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 21nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIZ902DT-T1-GE3CT |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 系列 | TrenchFET® |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 790pF @ 15V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12 mOhm @ 13.8A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 功率 - 最大值 | 4.2W, 5W |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | SIZ |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
SIZ902DT-T1-GE3也可以通过以下分类找到
SIZ902DT-T1-GE3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家