SiHP22N65E-GE3

产品描述

MOSFET 650V 180mOhm@10V 22A N-Ch E-SRS

内部编号

生产厂商

数量:988

最小起订量:1
美国费城
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规格书	SIHP22N65E Packaging Information
安装风格	Through Hole
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
连续漏极电流	22 A
系列	E
封装/外壳	TO-220-3
RDS（ON）	180 mOhms
封装	Bulk
功率耗散	227 W
最低工作温度	- 55 C
正向跨导 - 闵	6.7 S
栅极电荷Qg	110 nC
典型关闭延迟时间	73 ns
上升时间	33 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	650 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	38 ns
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
的Vgs（th ）（最大）@ Id	4V @ 250µA
供应商设备封装	TO-220AB
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	180 mOhm @ 11A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	227W
标准包装	1,000
漏极至源极电压（Vdss）	650V
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	22A (Tc)
输入电容（Ciss ） @ VDS	2415pF @ 100V
闸电荷（Qg ） @ VGS	110nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	50
品牌	Vishay Semiconductors
身高	15.49 mm
宽度	4.7 mm
长度	10.41 mm
商品名	TrenchFET
技术	Si

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