图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SIB488DK |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 12V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 20nC @ 8V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 725pF @ 6V |
| 功率 - 最大 | 13W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® SC-75-6L |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-75-6L Single |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SC-75-6L Single |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 13W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 725pF @ 6V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 8V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIB488DK-T1-GE3CT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 9 A |
| 正向跨导 - 闵 | 32 S |
| RDS（ON） | 16 mOhms |
| 功率耗散 | 13 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PowerPAK SC-75-6L |
| 零件号别名 | SIB488DK-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 13.1 nC |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | SIB |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
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