图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 64 mOhm @ 5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 40nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8PowerPAK SO |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.2 A |
| RDS -于 | 64@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 典型下降时间 | 30 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 3.2 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 64 mOhms |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | PowerPAK SO-8 |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 9 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 上升时间 | 9 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 零件号别名 | SI7949DP-E3 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1.04 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大漏源电阻 | 64@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装宽度 | 5.89 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK SO |
| 包装长度 | 4.9 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 3.2 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| P（ TOT ） | 3.5W |
| 匹配代码 | SI7949DP-T1-E3 |
| R（ THJC ） | 40K/W |
| LogicLevel | YES |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 18 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| Q（克） | 4.3nC |
| LLRDS （上） | 0.08Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | -4,5V |
| 我（D ） | -5A |
| V（ DS ） | -60V |
| 技术 | TrenchFET |
| 的RDS（on ） at10V | 0.064Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.2A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 64 mOhm @ 5A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI7949DP-T1-E3CT |
| RDS（ON） | 64 mOhms |
| Continuous Drain Current Id | :-3.2A |
| Drain Source Voltage Vds | :-60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.051ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-3V |
| 功耗 | :1.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PowerPAK |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
SI7949DP-T1-E3也可以通过以下分类找到
SI7949DP-T1-E3相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家