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厂商型号

SI7684DP-T1-E3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 17.5A 8-Pin PowerPAK SO T/R

内部编号

5-SI7684DP-T1-E3

#1

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SI7684DP-T1-E3产品详细规格

规格书 SI7684DP-T1-E3 datasheet 规格书
SI7684DP-T1-E3 datasheet 规格书
SI7684DP-T1-E3 datasheet 规格书
Status Active
包装 8PowerPAK SO
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 17.5 A
RDS -于 9@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 50 ns
典型上升时间 60 ns
典型关闭延迟时间 28 ns
典型下降时间 9 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
包装高度 1.04
最大功率耗散 5000
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 9@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
包装宽度 5.89
供应商封装形式 PowerPAK SO
包装长度 4.9
PCB 8
最大连续漏极电流 17.5
引脚数 8
铅形状 No Lead
单位包 0
最小起订量 1
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 17.5 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 9 mOhms
功率耗散 5 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 PowerPAK SO-8
零件号别名 SI7684DP-E3
上升时间 60 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 9 ns
系列 SI7
品牌 Vishay / Siliconix
商品名 TrenchFET
技术 Si

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