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厂商型号

SI7601DN-T1-E3 

产品描述

MOSFET 20V 16A 52W 19.2mohm @ 4.5V

内部编号

5-SI7601DN-T1-E3

生产厂商

Vishay / Siliconix

vishay

#1

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SI7601DN-T1-E3产品详细规格

规格书 SI7601DN-T1-E3 datasheet 规格书
SI7601DN
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 16A
Rds(最大)@ ID,VGS 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.6V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 27nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1870pF @ 10V
功率 - 最大 52W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±12
安装 Surface Mount
包装宽度 3.05
PCB 8
最大功率耗散 3800
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 19.2@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -50
供应商封装形式 PowerPAK 1212
标准包装名称 PowerPAK 1212
最高工作温度 150
渠道类型 P
包装长度 3.05
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.04
最大连续漏极电流 11.5
封装 Tape and Reel
铅形状 No Lead
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 16A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.6V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PowerPAK® 1212-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 52W
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
输入电容(Ciss ) @ VDS 1870pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 27nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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