图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 18A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 58 mOhm @ 5.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 20nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 750pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 52W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | PowerPAK® 1212-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8PowerPAK 1212 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A |
| RDS -于 | 58@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 3.05 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 3800 |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 58@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK 1212 |
| 标准包装名称 | PowerPAK 1212 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 3.05 |
| 引脚数 | 8 |
| 包装高度 | 1.04 |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 58 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 52W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 750pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 20nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 5.5 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 58 mOhms |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SI7322DN-E3 |
| 上升时间 | 10 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 10 ns |
| 系列 | SI7 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
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