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厂商型号

SI7107DN-T1-GE3 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

内部编号

5-SI7107DN-T1-GE3

#1

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SI7107DN-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI7107DN-T1-GE3 datasheet 规格书
SI7107DN-T1-GE3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 9.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 450µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 44nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 -
功率 - 最大 1.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8PowerPAK 1212
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 9.8 A
RDS -于 10.8@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 27 ns
典型上升时间 55 ns
典型关闭延迟时间 270 ns
典型下降时间 160 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
包装宽度 3.05
PCB 8
最大功率耗散 1500
最大漏源电压 20
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 10.8@4.5V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 PowerPAK 1212
标准包装名称 PowerPAK 1212
最高工作温度 150
包装长度 3.05
引脚数 8
包装高度 1.04
最大连续漏极电流 9.8
封装 Tape and Reel
铅形状 No Lead
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 9.8A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 450µA
供应商设备封装 PowerPAK® 1212-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.5W
漏极至源极电压(Vdss) 20V
闸电荷(Qg ) @ VGS 44nC @ 4.5V
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI7107DN-T1-GE3CT

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