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规格书 |
SI6413DQ |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 7.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 800mV @ 400µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 105nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
功率 - 最大 | 1.05W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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