图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
SI5411EDU |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 900mV @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 12V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® ChipFet Single |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8.2 mOhm @ 6A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4100pF @ 6V |
| 其他名称 | SI5411EDU-T1-GE3TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 105nC @ 8V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | - 25 A |
| 正向跨导 - 闵 | 45 S |
| 配置 | Single |
| RDS（ON） | 0.0155 Ohms |
| 功率耗散 | 31 W |
| 商品名 | TrenchFETr |
| 栅极电荷Qg | 70 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 上升时间 | 30 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 35 ns |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 25A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | SI5 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 0.75 mm |
| 长度 | 3 mm |
| 技术 | Si |
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