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规格书 |
SI5406DC |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 12V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6.9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 600mV @ 1.2mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 20nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
功率 - 最大 | 1.3W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SMD, Flat Lead |
供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | Chip FET |
包装高度 | 1.1(Max) |
安装 | Surface Mount |
最大功率耗散 | 1300 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大漏源电阻 | 20@4.5V |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电压 | 12 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 1.65 |
供应商封装形式 | Chip FET |
包装长度 | 3.05 |
PCB | 8 |
最大连续漏极电流 | 6.9 |
引脚数 | 8 |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.9A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 600mV @ 1.2mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET™ |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.3W |
封装/外壳 | 8-SMD, Flat Lead |
其他名称 | SI5406DC-T1-E3TR |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 20nC @ 4.5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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