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| 规格书 |
 SI4966DY |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | - |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 25@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.55(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 7.1 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 50nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 7.1 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 25 mOhms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
| 零件号别名 | SI4966DY-GE3 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 系列 | SI4 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
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