1. SI4946BEY-T1-GE3
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SI4946BEY-T1-GE3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R

内部编号

5-SI4946BEY-T1-GE3

#1

数量:2230
2500+¥6.174
5000+¥5.937
7500+¥5.725
15000+¥5.534
22500+¥5.394
最小起订量:2500
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:5286
1+¥8.3121
10+¥7.4041
25+¥7.0241
100+¥5.7703
250+¥5.3938
500+¥4.7666
1000+¥3.7631
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:2420
5+¥8.432
25+¥6.954
100+¥5.314
最小起订量:5
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SI4946BEY-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI4946BEY-T1-GE3 datasheet 规格书
SI4946BEY-T1-GE3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 41 mOhm @ 5.3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 25nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 840pF @ 30V
功率 - 最大 3.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60 V
最大连续漏极电流 5.3 A
RDS -于 41@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 20|10 ns
典型上升时间 120|12 ns
典型关闭延迟时间 20|25 ns
典型下降时间 30|10 ns
工作温度 -50 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 2400
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 41@10V
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -50
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 5(Max)
引脚数 8
包装高度 1.55(Max)
最大连续漏极电流 5.3
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
P( TOT ) 3.7W
匹配代码 SI4946BEY-T1-GE3
R( THJC ) n.s.K/W
LogicLevel YES
单位包 2500
标准的提前期 17 weeks
最小起订量 2500
Q(克) 9.2nC
LLRDS (上) 0.052Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) 6.5A
V( DS ) 60V
技术 TrenchFET
的RDS(on ) at10V 0.041Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.5A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
供应商设备封装 8-SOIC N
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 41 mOhm @ 5.3A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 3.7W
输入电容(Ciss ) @ VDS 840pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 25nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI4946BEY-T1-GE3CT
连续漏极电流 5.3 A
栅源电压(最大值) �20 V
功率耗散 2.4 W
工作温度范围 -50C to 175C
包装类型 SOIC N
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 2
工作温度分类 Automotive
漏源导通电压 60 V
弧度硬化 No

SI4946BEY-T1-GE3系列产品

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