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| 规格书 |
 SI4914DY |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.5A, 5.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 1.1W, 1.16W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A, 5.7A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 其他名称 | SI4914DY-T1-E3TR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 23 mOhm @ 7A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.1W, 1.16W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.5nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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