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| 规格书 |
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| Status | Active |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 12.9 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 10 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 3 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 零件号别名 | SI4662DY-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 系列 | SI4 |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 身高 | 1.75 mm |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 长度 | 4.9 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
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