SI4626DY-T1-E3

产品描述

MOSFET 30V 30A 6.0W

内部编号

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规格书
Status	Obsolete
产品种类	MOSFET
RoHS	RoHS Compliant By Exemption
晶体管极性	N-Channel
漏源击穿电压	30 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	21.5 A
抗漏源极RDS （ ON）	0.0036 Ohms
配置	Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT
封装/外壳	SOIC-8 Narrow
封装	Reel
下降时间	18 ns
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	3 W
上升时间	21 ns
工厂包装数量	2500
典型关闭延迟时间	45 ns
零件号别名	SI4626DY-E3
寿命	Obsolete
单位包	0
最小起订量	1

型号	厂家	产品描述
SI4626ADY-T1-E3	vishay / semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin SOIC N T/R
SI4626ADY-T1-E3	vishay / siliconix	Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin SOIC N T/R
SI4626ADY-T1-GE3	vishay / semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin SOIC N T/R

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