规格书 |
SI4618DY |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6.7A, 11.4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 17 mOhm @ 8A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 44nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1535pF @ 15V |
功率 - 最大 | 1.38W, 2.35W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
供应商器件封装 | 8-SOICN |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8SOIC N |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 6.7@Channel 1|11.4@Channel 2 A |
RDS -于 | 17@10V@Channel 1|10@10V@Channel 2 mOhm |
最大门源电压 | ±16 V |
典型导通延迟时间 | 8@Channel 1|24@Channel 1|9@Channel 2|24@Channel 2 ns |
典型上升时间 | 22@Channel 1|87@Channel 1|24@Channel 2|97@Channel 2 ns |
典型关闭延迟时间 | 20@Channel 1|30@Channel 1|26@Channel 2|35@Channel 2 ns |
典型下降时间 | 8@Channel 1|34@Channel 1|8@Channel 2|45@Channel 2 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±16 |
包装宽度 | 4(Max) |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 1380@Channel 1|2350@Channel 2 |
最大漏源电压 | 30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 17@10V@Channel 1|10@10V@Channel 2 |
每个芯片的元件数 | 2 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOIC N |
标准包装名称 | SOIC |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 5(Max) |
引脚数 | 8 |
包装高度 | 1.55(Max) |
最大连续漏极电流 | 6.7@Channel 1|11.4@Channel 2 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
P( TOT ) | 1.98W |
匹配代码 | SI4618DY-T1-E3 |
R( THJC ) | n.s.K/W |
LogicLevel | YES |
单位包 | 2500 |
标准的提前期 | 14 weeks |
最小起订量 | 2500 |
Q(克) | 12.5nC |
LLRDS (上) | 0.0083Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | 10V |
我(D ) | 8A |
V( DS ) | 30V |
技术 | TrenchFET |
的RDS(on ) at10V | 0.014Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.7A, 11.4A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 17 mOhm @ 8A, 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 1.38W, 2.35W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1535pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 44nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | SI4618DY-T1-E3CT |
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