1. SI4618DY-T1-E3
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厂商型号

SI4618DY-T1-E3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 6.7A/11.4A 8-Pin SOIC N T/R

内部编号

5-SI4618DY-T1-E3

#1

数量:5470
1+¥10.9665
10+¥9.779
25+¥9.2845
100+¥7.6269
250+¥7.1294
500+¥6.3003
1000+¥4.9739
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:2319
1+¥11.1455
10+¥8.9574
100+¥7.1796
500+¥6.3044
1000+¥5.224
2500+¥4.8479
5000+¥4.6701
10000+¥4.3214
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:1935
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,1-3个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SI4618DY-T1-E3产品详细规格

规格书 SI4618DY-T1-E3 datasheet 规格书
SI4618DY-T1-E3 datasheet 规格书
SI4618DY
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 6.7A, 11.4A
Rds(最大)@ ID,VGS 17 mOhm @ 8A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 44nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1535pF @ 15V
功率 - 最大 1.38W, 2.35W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 6.7@Channel 1|11.4@Channel 2 A
RDS -于 17@10V@Channel 1|10@10V@Channel 2 mOhm
最大门源电压 ±16 V
典型导通延迟时间 8@Channel 1|24@Channel 1|9@Channel 2|24@Channel 2 ns
典型上升时间 22@Channel 1|87@Channel 1|24@Channel 2|97@Channel 2 ns
典型关闭延迟时间 20@Channel 1|30@Channel 1|26@Channel 2|35@Channel 2 ns
典型下降时间 8@Channel 1|34@Channel 1|8@Channel 2|45@Channel 2 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±16
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 1380@Channel 1|2350@Channel 2
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 17@10V@Channel 1|10@10V@Channel 2
每个芯片的元件数 2
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5(Max)
引脚数 8
包装高度 1.55(Max)
最大连续漏极电流 6.7@Channel 1|11.4@Channel 2
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
P( TOT ) 1.98W
匹配代码 SI4618DY-T1-E3
R( THJC ) n.s.K/W
LogicLevel YES
单位包 2500
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 2500
Q(克) 12.5nC
LLRDS (上) 0.0083Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 10V
我(D ) 8A
V( DS ) 30V
技术 TrenchFET
的RDS(on ) at10V 0.014Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.7A, 11.4A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 1mA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 8-SOIC N
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 17 mOhm @ 8A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 1.38W, 2.35W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1535pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 44nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SI4618DY-T1-E3CT

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    0512-67687578
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    0512-68796728
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