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Status | Active |
工厂包装数量 | 2500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 13 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 37 mOhms |
封装 | Reel |
功率耗散 | 1.6 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
零件号别名 | SI4382DY-GE3 |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
系列 | SI4 |
品牌 | Vishay / Siliconix |
身高 | 1.75 mm |
宽度 | 3.9 mm |
长度 | 4.9 mm |
商品名 | TrenchFET |
技术 | Si |
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