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SI4364DY-T1-E3现货价格
SI4364DY-T1-E3现货价格
产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
MOSFET
SI4364DY-T1-E3
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
SI4364DY-T1-E3
产品描述
MOSFET 30V 20A 1.6W
内部编号
5-SI4364DY-T1-E3
生产厂商
Vishay / Siliconix
库存信息
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SI4364DY-T1-E3产品详细规格
规格书
Status
Active
最大门源电压
±16
安装
Surface Mount
包装宽度
4(Max)
PCB
8
最大功率耗散
1600
最大漏源电压
30
欧盟RoHS指令
Compliant
最大漏源电阻
4.5@10V
每个芯片的元件数
1
最低工作温度
-55
供应商封装形式
SOIC N
标准包装名称
SOIC
最高工作温度
150
渠道类型
N
包装长度
5(Max)
引脚数
8
通道模式
Enhancement
包装高度
1.55(Max)
最大连续漏极电流
13
封装
Tape and Reel
铅形状
Gull-wing
工厂包装数量
2500
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
配置
Single
源极击穿电压
+/- 16 V
连续漏极电流
13 A
安装风格
SMD/SMT
RDS(ON)
4.5 mOhms
功率耗散
1.6 W
最低工作温度
- 55 C
封装/外壳
SOIC-8 Narrow
典型关闭延迟时间
165 ns
零件号别名
SI4364DY-E3
上升时间
16 ns
最高工作温度
+ 150 C
漏源击穿电压
30 V
RoHS
RoHS Compliant By Exemption
下降时间
16 ns
系列
SI4
品牌
Vishay / Siliconix
商品名
TrenchFET
技术
Si
SI4364DY-T1-E3系列产品
型号
厂家
产品描述
SI4364DY-T1
Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 20A 1.6W
SI4364DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 20A 3.5W 4.5mohm @ 10V
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