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厂商型号

SI4364DY-T1-E3 

产品描述

MOSFET 30V 20A 1.6W

内部编号

5-SI4364DY-T1-E3

生产厂商

Vishay / Siliconix

vishay

#1

数量:0
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美国加州
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SI4364DY-T1-E3产品详细规格

规格书 SI4364DY-T1-E3 datasheet 规格书
SI4364DY-T1-E3 datasheet 规格书
Status Active
最大门源电压 ±16
安装 Surface Mount
包装宽度 4(Max)
PCB 8
最大功率耗散 1600
最大漏源电压 30
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 4.5@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 5(Max)
引脚数 8
通道模式 Enhancement
包装高度 1.55(Max)
最大连续漏极电流 13
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
工厂包装数量 2500
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 16 V
连续漏极电流 13 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 4.5 mOhms
功率耗散 1.6 W
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
典型关闭延迟时间 165 ns
零件号别名 SI4364DY-E3
上升时间 16 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 16 ns
系列 SI4
品牌 Vishay / Siliconix
商品名 TrenchFET
技术 Si

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