规格书 |
SI3417DV |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7.3A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 3,000 |
供应商设备封装 | 6-TSOP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 25.2 mOhm @ 7.3A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2W |
封装/外壳 | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1350pF @ 15V |
其他名称 | SI3417DV-T1-GE3TR |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 50nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 8 A |
正向跨导 - 闵 | 23 S |
配置 | Single |
RDS(ON) | 0.03 Ohms |
功率耗散 | 4.2 W |
商品名 | TrenchFETr |
栅极电荷Qg | 32 nC |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
上升时间 | 35 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | - 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 16 ns |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A (Ta) |
工厂包装数量 | 3000 |
系列 | SI3 |
品牌 | Vishay Semiconductors |
身高 | 1.1 mm |
宽度 | 1.65 mm |
长度 | 3.05 mm |
技术 | Si |
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