1. SI3417DV-T1-GE3
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厂商型号

SI3417DV-T1-GE3 

产品描述

MOSFET P-CHAN 30V D-S TSOP-6

内部编号

5-SI3417DV-T1-GE3

生产厂商

Vishay Siliconix

vishay

#1

数量:9609
1+¥2.8718
10+¥2.1676
100+¥1.6069
500+¥1.3607
1000+¥1.053
3000+¥0.9573
6000+¥0.8957
9000+¥0.8342
24000+¥0.7932
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:6760
1+¥3.4227
10+¥2.8638
100+¥2.1486
500+¥1.5758
1000+¥1.2176
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SI3417DV-T1-GE3产品详细规格

规格书 SI3417DV
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7.3A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 3,000
供应商设备封装 6-TSOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 25.2 mOhm @ 7.3A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2W
封装/外壳 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
输入电容(Ciss ) @ VDS 1350pF @ 15V
其他名称 SI3417DV-T1-GE3TR
闸电荷(Qg ) @ VGS 50nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 8 A
正向跨导 - 闵 23 S
配置 Single
RDS(ON) 0.03 Ohms
功率耗散 4.2 W
商品名 TrenchFETr
栅极电荷Qg 32 nC
典型关闭延迟时间 40 ns
上升时间 35 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 16 ns
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8A (Ta)
工厂包装数量 3000
系列 SI3
品牌 Vishay Semiconductors
身高 1.1 mm
宽度 1.65 mm
长度 3.05 mm
技术 Si

SI3417DV-T1-GE3系列产品

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