图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 SI1304BDL |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 900mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 270 mOhm @ 900mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 2.7nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 100pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 370mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-70, SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SC-70 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.85 A |
| RDS -于 | 270@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 30 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 包装宽度 | 1.25 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 340 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 270@4.5V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SC-70 |
| 标准包装名称 | SOT-323 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 2 |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.85 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 0.37W |
| 匹配代码 | SI1304BDL |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 32 weeks |
| 最小起订量 | 6000 |
| 极化 | N-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 0.9A |
| V（ DS ） | 30V |
| R（ DS上） | 0.27Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 900mA (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | SC-70-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 270 mOhm @ 900mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 370mW |
| 封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 100pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2.7nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI1304BDL-T1-E3CT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2 x 1.25 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 2mm |
| 最大漏源电阻 | 0.27 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.34 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SC-70 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 1.8 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 100 pF V @ 15 |
| 宽度 | 1.25mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 连续漏极电流 | 0.85 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 270 mOhms |
| 功率耗散 | 340 mW |
| 零件号别名 | SI1304BDL-E3 |
| 上升时间 | 30 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 30 ns |
| Continuous Drain Current Id | :900mA |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.216ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.3V |
| 功耗 | :340mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SC-70 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
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