图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
SI1013CX-T1-GE3 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 450mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | SC-89-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | * |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 190mW |
| 封装/外壳 | SC-89, SOT-490 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 45pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2.5nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 系列 | SI1 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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