规格书 |
K817P |
Status | Active |
包装 | 4DIL |
输出类型 | DC |
每个芯片的通道数 | 1 |
典型正向电压 | 1.25 V |
最大集电极电流 | 50 mA |
最大集电极发射极电压 | 70 V |
最大正向电压 | 1.6 V |
最小绝缘电压 | 5000 Vrms |
最大集电极发射极饱和电压 | 300 mV |
最大电流传输比@电流 | 80 % |
最大输入电流 | 60 mA |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大反向电压 | 6 V |
工作温度 | -40 to 100 °C |
标准包装 | Rail / Tube |
产品种类 | Transistor Output Optocouplers |
RoHS | RoHS Compliant |
输入类型 | DC |
隔离电压 | 5000 Vrms |
电流传输比 | 80 % |
最大正向二极管电压 | 1.6 V |
最大输入二极管电流 | 60 mA |
最高工作温度 | + 100 C |
最低工作温度 | - 40 C |
封装/外壳 | PDIP-4 |
封装 | Tube |
最大反向二极管电压 | 6 V |
输出设备 | NPN Phototransistor |
工厂包装数量 | 5000 |
最大输入电流 | 60 |
包装宽度 | 6.3 |
安装 | Through Hole |
最小绝缘电压 | 5000 |
PCB | 4 |
最大功率耗散 | 200 |
最大集电极发射极饱和电压 | 300 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大反向电压 | 6 |
最大集电极发射极电压 | 70 |
最低工作温度 | -40 |
供应商封装形式 | DIL |
标准包装名称 | DIP |
最高工作温度 | 100 |
最大正向电压 | 1.6 |
包装长度 | 4.75(Max) |
引脚数 | 4 |
包装高度 | 3.6 |
最大电流传输比 | 80 |
最大集电极电流 | 50 |
铅形状 | Through Hole |
单位包 | 100 |
最小起订量 | 4000 |
系列 | * |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
电流 - 输出/通道 | 50mA |
电压 - 输出(最大) | 70V |
电流传输比(最小值) | 40% @ 10mA |
安装类型 | Through Hole |
电流传输比(最大) | 80% @ 10mA |
Rise / Fall Time (Typ) | 3µs, 4.7µs |
供应商设备封装 | 4-DIP |
下的Vce饱和度(最大) | 300mV |
Current - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
通道数 | 1 |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.25V |
Turn On / Turn Off Time (Typ) | 6µs, 5µs |
电压 - 隔离 | 5000Vrms |
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