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数量:0 |
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规格书 |
IRFR9120, IRFU9120 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 5.6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 18nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 390pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | TO-251AA |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-251 |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 100 V |
最大连续漏极电流 | 5.6 A |
RDS -于 | 600@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 9.6 ns |
典型上升时间 | 29 ns |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
典型下降时间 | 25 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | IPAK |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电阻 | 600@10V |
最大漏源电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-251 |
最大功率耗散 | 2500 |
最大连续漏极电流 | 5.6 |
引脚数 | 3 |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 5.6A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商设备封装 | TO-251AA |
其他名称 | *IRFU9120 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 390pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 18nC @ 10V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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