图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 IRFR214, IRFU214 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2 Ohm @ 1.3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.2nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 包装材料 | Tube |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.2A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商设备封装 | TO-251AA |
| 其他名称 | *IRFU214 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 Ohm @ 1.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 140pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.2nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
IRFU214相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
