图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IRFP448 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 600 mOhm @ 6.6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 84nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247AC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 600@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 40 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 典型下降时间 | 32 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 5.31(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 180000 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 600@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-247AC |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 15.87(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 20.7(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 25 |
| 最小起订量 | 500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 | TO-247-3 |
| 其他名称 | *IRFP448PBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 600 mOhm @ 6.6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1900pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 84nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
| 身高 | 20.7mm |
| 长度 | 15.87mm |
| 最大漏源电阻 | 0.6 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 180 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-247AC |
| 典型栅极电荷@ VGS | 84 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1900 pF V @ 25 |
| 宽度 | 5.31mm |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 600 mOhms |
| 功率耗散 | 180 W |
| 上升时间 | 40 ns |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 32 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 500 V |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| Current,Drain | 11A |
| GateCharge,Total | 84nC |
| PackageType | TO-247AC |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 180W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.6Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 62ns |
| Time,Turn-OnDelay | 18ns |
| Transconductance,Forward | 6.7S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 500V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.7V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 15.87mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1900 pF@ 25 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 20.7mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 180 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 5.31mm |
| 尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns |
| 典型关断延迟时间 | 62 ns |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 84 nC @ 10 V |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
| associated | 80-4-5 |
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