图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IRFD224 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 100 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 630mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.1 Ohm @ 380mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 260pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 4-DIP (0.300, 7.62mm) |
| 供应商器件封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 4HVMDIP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.63 A |
| RDS -于 | 1100@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7 ns |
| 典型上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 3.37(Max) |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 1100@10V |
| 最大漏源电压 | 250 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 6.29(Max) |
| 供应商封装形式 | HVMDIP |
| 包装长度 | 5(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大连续漏极电流 | 0.63 |
| 引脚数 | 4 |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 630mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商设备封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 其他名称 | *IRFD224 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.1 Ohm @ 380mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 260pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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