图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IRF644PBF Packaging Information |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 14A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 280 mOhm @ 8.4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 68nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 250 V |
| 最大连续漏极电流 | 14 A |
| RDS -于 | 280@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 24 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 典型下降时间 | 49 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 280@10V |
| 最大漏源电压 | 250 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大功率耗散 | 125000 |
| 最大连续漏极电流 | 14 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 14A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 其他名称 | *IRF644PBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 280 mOhm @ 8.4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1300pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 68nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
| 身高 | 9.01mm |
| 长度 | 10.41mm |
| 最大漏源电阻 | 0.28 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 典型栅极电荷@ VGS | 68 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1300 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 14 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 280 mOhms |
| 功率耗散 | 125 W |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 上升时间 | 24 ns |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 49 ns |
| 漏极电流（最大值） | 14 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.28 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 250 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :14A |
| Drain Source Voltage Vds | :250V |
| On Resistance Rds(on) | :280mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| 功耗 | :125W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-220AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
| Current Id Max | :14A |
| Current Temperature | :25°C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Junction to Case Thermal Resistance A | :1°C/W |
| Pulse Current Idm | :56A |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vds | :250V |
| Voltage Vds Typ | :250V |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Drain | 14A |
| GateCharge,Total | 68nC |
| PackageType | TO-220AB |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 125W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.28Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 53ns |
| Time,Turn-OnDelay | 11ns |
| Transconductance,Forward | 6.7S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 250V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.8V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| 案例 | TO220AB |
| Transistor type | N-MOSFET |
| 功率 | 125W |
| Drain-source voltage | 250V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 14A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 2.72 g |
| Collective package [pcs] | 50 |
| spg | 50 |
| associated | NTE2388 IRF644PBF |
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