图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IRF634NPBF 

产品描述

MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp

内部编号

5-IRF634NPBF

生产厂商

Vishay / Siliconix

vishay

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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IRF634NPBF产品详细规格

规格书 Packaging Information
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 250V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8A
Rds(最大)@ ID,VGS 435 mOhm @ 4.8A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 34nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 620pF @ 25V
功率 - 最大 3.8W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
安装 Through Hole
包装宽度 4.7(Max)
PCB 3
最大功率耗散 3800
最大漏源电压 250
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 435@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 10.41(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 9.01(Max)
最大连续漏极电流 8
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
其他名称 *IRF634NPBF
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 435 mOhm @ 4.8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.8W
标准包装 1,000
漏极至源极电压(Vdss) 250V
输入电容(Ciss ) @ VDS 620pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 34nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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