规格书 |
![]() ![]() IL(D,Q)1,2,5 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
频道数目 | 2 |
Input 型 | DC |
- 隔离电压 | 5300Vrms |
电流传输比(最小值) | 50% @ 10mA |
电流传输比(最大) | 400% @ 10mA |
Voltage - 输出功率 | 70V |
电流 - 输出/通道 | 50mA |
电流 - DC正向(If) | 60mA |
Vce饱和(最大) | 400mV |
Output 型 | Transistor |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) |
包装材料 | Tube |
包装 | 8PDIP |
输出类型 | DC |
每个芯片的通道数 | 2 |
典型正向电压 | 1.25 V |
最大集电极电流 | 400 mA |
最大正向电压 | 1.65 V |
最小绝缘电压 | 5300 Vrms |
最大集电极发射极饱和电压 | 400 mV |
最大电流传输比@电流 | 400 % |
最大输入电流 | 60 mA |
最大功率耗散 | 250 mW |
最大反向电压 | 6 V |
工作温度 | -40 to 100 °C |
标准包装 | Rail / Tube |
最大集电极发射极电压 | 70 V |
标准包装 | Bulk |
产品种类 | Transistor Output Optocouplers |
RoHS | RoHS Compliant |
输入类型 | DC |
隔离电压 | 5300 Vrms |
电流传输比 | 400 % |
最大正向二极管电压 | 1.65 V |
最大输入二极管电流 | 60 mA |
最高工作温度 | + 100 C |
最低工作温度 | - 40 C |
封装/外壳 | PDIP-8 |
封装 | Tube |
最大反向二极管电压 | 6 V |
输出设备 | NPN Phototransistor |
工厂包装数量 | 2000 |
最大输入电流 | 60 |
包装宽度 | 6.81(Max) |
安装 | Through Hole |
最小绝缘电压 | 5300 |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 250 |
最大集电极发射极饱和电压 | 400 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大反向电压 | 6 |
最大集电极发射极电压 | 70 |
最低工作温度 | -40 |
供应商封装形式 | PDIP |
标准包装名称 | PDIP |
最高工作温度 | 100 |
最大正向电压 | 1.65 |
包装长度 | 9.91(Max) |
引脚数 | 8 |
包装高度 | 3.81(Max) |
最大电流传输比 | 400 |
最大集电极电流 | 400 |
铅形状 | Through Hole |
单位包 | 50 |
最小起订量 | 2000 |
电流 - 输出/通道 | 50mA |
电流传输比(最小值) | 50% @ 10mA |
安装类型 | Through Hole |
电流传输比(最大) | 400% @ 10mA |
下的Vce饱和度(最大) | 400mV |
电压 - 输出 | 70V |
通道数 | 2 |
电流 - DC正向(If ) | 60mA |
电压 - 隔离 | 5300Vrms |
封装/外壳 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.05 A |
集电极 - 发射极电压 | 70 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
功率耗散 | 0.25 W |
工作温度范围 | -40C to 100C |
包装类型 | PDIP |
元件数 | 2 |
工作温度分类 | Industrial |
正向电压 | 1.65 V |
正向电流 | 60 mA |
反向击穿电压 | 6 V |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
集电极电流(DC ) | 0.4 A |
电压 - 输出(最大) | 70V |
Rise / Fall Time (Typ) | 2.6µs, 2.2µs |
供应商设备封装 | 8-DIP |
Current - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.25V |
Turn On / Turn Off Time (Typ) | 1.1µs, 2.5µs |
电流传输比(最大值) | 400% @ 10mA |
输入类型 | DC |
电压 - 隔离 | 5300Vrms |
电流传输比(最小值) | 50% @ 10mA |
封装/外壳 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
通道数 | 2 |
装配类型 | Through Hole |
输出类型 | Transistor |
电流 - 输出/通道 | 50mA |
Vce 饱和值(最大值) | 400mV |
典型上升时间 | 2.6 (Non Saturated) μs, 7 (Saturated) μs |
输出设备 | 光电晶体管 |
最大正向电压 | 1.65V |
最大输入电流 | 60 mA |
安装类型 | 通孔安装 |
隔离电压 | 5300 Vrms |
封装类型 | DIP |
针数目 | 8 |
典型下降时间 | 2.2 (Non Saturated) μs, 20 (Saturated) μs |
输入电流类型 | 直流 |
最大电流传输比 | 400% |
通道数目 | 2 |
Vr - Reverse Voltage | 6 V |
If - Forward Current | 60 mA |
品牌 | Vishay Semiconductors |
安装风格 | Through Hole |
配置 | 2 Channel |
Vf - Forward Voltage | 1.65 V |
长度 | 9.91 mm |
身高 | 3.81 mm |
Pd - Power Dissipation | 250 mW |
associated | D2808-42 2227MC-08-03-18-F1 |
ILD5也可以通过以下分类找到
咨询QQ
热线电话