图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 CNY64-66 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 频道数目 | 1 |
| Input 型 | DC |
| - 隔离电压 | 1000Vrms |
| 电流传输比（最小值） | 50% @ 5mA |
| 电流传输比（最大） | 300% @ 5mA |
| Voltage - 输出功率 | 32V |
| 电流 - 输出/通道 | 50mA |
| 电流 - DC正向（If） | 75mA |
| Vce饱和（最大） | 300mV |
| Output 型 | Transistor |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 4-DIP (0.200, 5.08mm) |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 4PDIP |
| 输出类型 | DC |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 典型正向电压 | 1.25 V |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最大集电极发射极电压 | 32 V |
| 最大正向电压 | 1.6 V |
| 最小绝缘电压 | 8200 Vrms |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 300 mV |
| 最大电流传输比@电流 | 300 % |
| 最大输入电流 | 75 mA |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大反向电压 | 5 V |
| 工作温度 | -55 to 85 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | Transistor Output Optocouplers |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输入类型 | DC |
| 隔离电压 | 8200 Vrms |
| 电流传输比 | 50 % to 300 % |
| 最大正向二极管电压 | 1.6 V |
| 最大输入二极管电流 | 75 mA |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | DIP-4 |
| 封装 | Tube |
| 正向电流 | 50 mA |
| 最大下降时间 | 2.7 us |
| 最大反向二极管电压 | 5 V |
| 最大上升时间 | 2.4 us |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 最大输入电流 | 75 |
| 包装宽度 | 7.2 |
| 安装 | Through Hole |
| 最小绝缘电压 | 8200 |
| PCB | 4 |
| 最大功率耗散 | 250 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 300 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大反向电压 | 5 |
| 最大集电极发射极电压 | 32 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | PDIP |
| 标准包装名称 | PDIP |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最大正向电压 | 1.6 |
| 包装长度 | 12.8 |
| 引脚数 | 4 |
| 包装高度 | 6.1 |
| 最大电流传输比 | 300 |
| 最大集电极电流 | 50 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比（最小值） | 50% @ 5mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流传输比（最大） | 300% @ 5mA |
| 下的Vce饱和度（最大） | 300mV |
| 电压 - 输出 | 32V |
| 通道数 | 1 |
| 电流 - DC正向（If ） | 75mA |
| 电压 - 隔离 | 8200Vrms |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| No. of Channels | :1 |
| Optocoupler Output Type | :Phototransistor |
| 输入电流 | :50mA |
| 输出电压 | :32V |
| Opto Case Style | :Through Hole |
| No. of Pins | :4 |
| Operating Temperature Max | :85°C |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| 工作温度范围 | :-55°C to +85°C |
| Weight (kg) | 0.000001 |
| Tariff No. | 85411000 |
| Capacitance,Junction | 50pF |
| Creepage | 9.5mm |
| Current,Collector | 50mA |
| Current,Forward | 1.6A |
| Current,Surge,Forward | 1.5A |
| Current,TransferRatio,Max | 30% |
| Current,TransferRatio,Min | 50% |
| LeadPitch | 10.16(400)mm(mil) |
| PackageType | DIP-4 |
| PowerDissipation | 250mW |
| Temperature,Operating | -55to85°C |
| Time,Delay | 2.6μs |
| Time,Fall | 2.7μs |
| Time,Rise | 2.4μs |
| Time,Turn-Off | 42.5μs |
| Time,Turn-On | 25μs |
| Voltage,CollectortoEmitter | 32V |
| Voltage,EmittertoCollector | 7V |
| Voltage,Forward | 1.6V |
| Voltage,Isolation | 8.2kV |
| Voltage,Reverse | 5V |
| Voltage,RMS | 8.2kV |
| 案例 | 4PIN |
| Insulation voltage | 8.3kV |
| Collector-emitter voltage | 32V |
| 开启时间 | 5µs |
| Type of semiconductor component | optocoupler |
| 关断时间 | 5µs |
| 输出类型 | transistor |
| Row pitch | 10.16mm |
| Gross weight | 1.33 g |
| Number of channels | 1 |
| Multiplicity | 1 |
| Current transfer ratio at forward current | 50-300%@10mA |
| Collective package [pcs] | 120 |
| Schematic diagram | see |
| spg | 120 |
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